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FNK01H10 场效应管 MOS管-操作模式丨乾野电子
价格：电议
地区：广东省 惠州市

惠州市乾野电子有限公司

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操作模式

NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同VGSVth的关系MOSFET在线性区操作的截面图MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅极、源极，与漏极等三个端点施加的“偏压”（bias）不同，一个常见的加强型（enhancement mode）N型 MOSFET有下列三种操作区间：截止或次临限区（cut-off or sub-threshold region）　当栅极和源极间的电压VGS（G代表栅极，S代表源极）小于一个称为临界电压（threshold voltage,Vth）的值时，这个MOSFET是处在“截止”（cut-off）的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。但事实上当VGS>Vth、且VDS=0，一些拥有大量MOSFET的集成电路产品，如DRAM，次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。



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