氮化铝底板，第三代晶闸管模块，性能优且稳，国际。
　　
　　一、特点
　　单向导电性指标，“漏电流”只及标准的1／200且长期稳定。
　　DBC底板使模块工作寿命指标，承受冷热冲击次数至少高过标准10倍（氧化铝DBC底板为5倍）。
　　散热能力强，同等条件温升，避免快速热老化击穿。
　　浪涌电流为额定值的19〜42倍（标准16倍）。
　　电压临界上升率高DV／dt≥1000V／μs，不易误触发。
　　额定电流3〜4倍（标准为1倍）时，管压降只有1.2〜1.7V.
　　配上瞬态衰减器，可承受4KV脉冲群、浪涌过电压，避免快速电老化击穿，耐压无须超过1600V.
　　它以前太贵，工艺新突破使工业级产品的价格降到与国产可控硅模块差不多，便于普及应用。
　　
　　二、电连接
　　模块内含有二个晶闸管芯；通用电连接型式，代号为C.1、2、3为功率端，配有不锈钢螺钉，可作为一个整流臂，用于直流电路；也可把2、3短接成一个端，1为另一端，构成“反并联”连接，用于交流电路。5、6端分别为对应的晶闸管的门极控制端，可用电线锡焊后引出。
　　
　　三、主要应用
　　整流器、充电器、变流器、无功补偿节电器、交流调压器、固态开关等。
　　
　　四、模块底板
　　市面上的晶闸管模块绝大多数是代产品，3mm厚的铜底板沉甸甸的。铜板、陶瓷层、硅芯片三层材料热膨胀系数相差很大，冷热冲击使层间开裂损坏，属淘汰产品。
　　
　　第二代晶闸管模块采用氧化铝DBC（Direct Bonding Copper）底板，由0.3mm薄铜皮与氧化铝（白色）键合成一体难以开裂，见图2.但是氧化铝的热膨胀系数与硅芯片相差还不够小，二者之间还会微裂。
　　
　　第三代晶闸管模块采用DBC底板，由0.3mm薄铜皮与陶瓷层（白色）键合而成一体难以开裂。而且陶瓷层与硅芯片的热膨胀系数相接近，也不易开裂。福建省电子产品监督检测所测试证实：产品耐用性指标“承受冷热循环次数”达到JB／T7826-1995（即IEC TC47）标准的10倍以上。模块“工作寿命”难题才得到满意解决。目前国际上只有个别厂家能生产（第三代）长命晶闸管模块。

其他说明

参数见下表.                                                                参数 型 号 MTC27-16CM                                                          MTC49-16CM MTC60-16CM MTC116-16CM MTC130-16CM MTC250-16CM MTC320-16CM MTC500-16CM 电流 平均Iavm 27 A 49 A 60 A 116 A 130 A 250 A 320 A 500A 有效Irms 50 A 80 A 100 A 180 A 300 A 400 A 500 A 785A 浪涌电流倍数Ism/Iavm    19倍 23倍 25倍 19倍 42倍 34倍 29倍 30倍 I 2 t,    K*A 2 S 1.35 6.6 11.2 25.3 151 360 420 1125 门极功率Pgm 10 W 120 W 漏电流Irrm 3 mA 5 mA 10 mA 40 mA 当It=? 时 正向管压降Vt 80A 1.64V 200A 1.75V 200A 1.57V 300A 1.50V 300A 1.36 600A 1.36 600A 1.32V 1200A 1.3 门极 电压 Vto 0.85 0.85 0.85   0.80 0.80 0.85 0.80 0.80 反向                                          峰值  Vrgm= 10V 门极 触发 电压 Vgt=1.5 V 2.5V 2V 2V 2V 电流 Igt=100 mA 150 mA 150 mA 150 mA 300mA 挈住电流Il 450 mA 300 mA 200 mA 200 mA 400mA 维持电流Ih 200 mA 200 mA 150 mA 150 mA 300mA 关断时间Tq 150μ S 150μ S 150μ S 150μ S 200μ S 200μ S 350μ