产品信息：

　　晶体管类型：NPN
　　电流-集电极（Ic）（）：600mA
　　电压-集电极发射极击穿（）：40V
　　Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：1V @ 50mA, 500mA
　　在某Ic、Vce时的小直流电流增益（hFE）：100 @ 150mA, 10V
　　功率-：225mW
　　频率-转换：300MHz
　　安装类型：表面贴装
　　封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
　　包装：带卷（TR）

　　

        晶体三极管是常用的基本元器件之一，晶体三极管的作用主要是电流放大，他是电子电路的元件，现在的大规模集成电路的基本组成部分也就是晶体三极管。

　　三极管基本机构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种， 从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c.发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。