晶体的电光效应-泡克尔斯效应(F-JTDG1110)
价格:电议
地区:北京市
电 话:86-010-84802105
  产品介绍
  实验内容及相关科目:
    观察会聚偏振光经过LiNbO3晶体后形成的干涉图形,比较不同电压条件下的差异,理解单轴晶体与双轴晶体的区别。
    观察在不同电压条件下的输出光的偏振态,理解泡克耳斯效应的作用机理。
    测量半波电压,确定Δn与E的线性关系,绘出光的调制曲线。
    用正弦电信号对晶体进行调制,实现电信号的光传输,理解工作点对调制、传输过程的影响。
    外加音频信号,实验音频信号的光传输以重现,了解光通讯中信号外调制的原理和方法。
  
  仪器特点:
    采用半导体激光器作为光源(650nm4mW)。
    晶体的通光面积为5×5mm2
    驱动电压Vmax≥1600V使现象更加清晰、完整。
    可观察在电场作用下LN晶体由一个单轴晶体变化为双轴晶体的过程。
  设备成套性:
    光学实验导轨、半导体激光器、扩束镜、起偏器、检偏器、1/4波片、LN晶体附件(含三维调整架)、激光功率指示计、音频信号源、示波器(自备)等。
  技术指标
  光学实验导轨800mm.
  实验主机驱动电压Vmax≥1600V
  半导体激光器650nm,4mW.
  LN晶体附件,三维可调,通光面积:5*5mm2.
  二维可调光电二极管探头:调整范围:±2.5mm.
  二维可调扩束镜:25倍,调制范围:±2.5mm.
  激光功率指示计:三位半数字表头,量程:200μW,2mW,20mW,200mW,可调档。小分辨率0.1u W.