NMOS场效应管参数测试仪
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JFY2013A MOS管参数测试仪详细介绍

※概述:

JFY2013A MOS管参数测试仪,是一种专门用于各种N型MOS场效应管参数测试的新型测试装置。该机采用新型专用MCU设计.可在1S内直接测试出N型MOS管的输入启动电压(Vth)和反向击穿电压(Bvds),导通内阻(Rson),反向漏电流(Idss,Igss),跨导(GFS),跨导测试电流ID可从1A-85A(脉冲方式)调节,BVDS测试电压可从50V-2000V调节,该机外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便,是电子产品生产厂家或电子元件供应商来料检测的理想工具。 

二、主要技术性能

1、输入启动电压VTH0.1020.0V   :≤2.5% ,测试电流: 5档,0.25MA-2MA,:≤2.5%

2.VDS击穿电压BVDS: 0-1500V :≤2.5% 

3.BVDS测试设置电压: 0-2000V :≤5% 

4,导通内阻(Rson): 0-10r,小分辨率:0.1mr:≤5% 

5,导通内阻(Rson)VGS设置电压: 0-12V ,分10档,:≤1% 

6,导通内阻(Rson)ID测试电流设置: 0-30A ,分10档,:≤5% 

7,跨导(Gfs):0-999 :≤5% 

8,跨导(Gfs)VDS测试电压: 2-22V ,分16档,:≤5% 

9,跨导(Gfs)ID测试脉冲电流: 1-85A ,分25档,:≤5% 脉冲宽度<200us,占比2% 

10、IDSS IGSS漏电电流,分8档,0.01MA-0.5MA之间调节,大于设定值漏电指示亮。  :≤5%

11、电源电压:AC220V50HZ      功率:≤60W

12、工作环境:040°C   相对湿度:≯85% 

13、外形尺寸:230×170×110mm 

14、重量:约1.6 Kg 

三、主要测试功能

1、自动测试方式,仪器根据被测管的内阻来自动设定各个参数项的测试条件进行测试,并将测试结果直接显示出来。

2、手动测试方式,手动设定测试条件,并根据设定好的测试条件进行测试,并将测试结果直接显示出来。

3, 电流ID测试,可以测试MOS管的电流是否达到指标。

4,导通内阻特性测试,可以测试输入电压VGS从 1V-12V时导通内阻RSON的变化情况。

5,好坏功能声音提示,当被测管,只要漏电不超标,不击穿,开路现象,即测试结果自动声音提示。