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砷化镓衬底晶片 北京特博万德科技有限公司
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Item

Unit

Sepcification

Remarks

Crystal Growth


VGF  HB  VB


Dopant


Si or Zn or undope

N-type/ P-type/ undope

Diameter


1” 2” 3” 4” 6”


Orientation


(100) (111)

Other orientation available

Carrier Concentration

/cm3

0.4~2.5*1018

Other spec. available

Resisitivity

Ohm.cm

(0.8-9)×10-3  (1-9)×1017

Other spec. available

Mobility

cm2/v.s

1500~3000    3000~5000

Other spec. available

EPD

/cm2

<100 <500<>

<5000      <10000<>

Other spec. available

Thickness


~350um    ~625um

Other spec. available

TTV

um

<10um or better


TIR

um

<10um or better


Bow

um

<10um or better


Warp

um

<10um or better


Surface


PE  PP


Epi-ready


Yes