mos管600V|厂商批发mos管600V现货原装
价格:电议
地区:广东省 惠州市

   MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种,凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子,均属于增强型管;凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子,均属于耗尽型管。电路中常用增强型MOS管,其工作原理:当栅极-源极电压变化时,将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。

 

  • 产品参数
  • Product Major INormation VTHRon(10V)(mΩ)Ron(4.5V) (mΩ)Ron(2.5V) (mΩ)
    N/P
    Voltage
    Product NameAssemblyBVDSS
    Min(V)
    ID(A)25℃PW (W)25℃Vgs(V)TypTypMaxTypMaxTypMax
    600V MOS系列FNK2N60ALTO-220600254303 4300    
    FNK2N60BLTO-220F600254303 4300    
    FNK2N60CTTO-2516001.944303 4300    
    FNK2N60DTTO-2526001.944303 4300    
    FNK4N60ALTO-2206004.4106303 2800    
    FNK4N60BLTO-220F6004.433303 2800    
    FNK4N60DLTO-2526003.950303 2800    
    FNK4N60CLTO-2516003.950303 2800    
    FNK4N65ALTO-2206004106303 3000    
    FNK4N65BLTO-220F600434303 3000    
    FNK8N60ALTO-2206007.550303 1500    
    FNK10N60ALTO-2206009.5156303 870    

     

      功率MOSFET和前述的MOSFET元件在结构上就有著显著的差异。一般积体电路里的MOSFET都是平面式(planar)的结构,晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。而所有的功率元件都是垂直式(vertical)的结构,让元件可以同时承受高电压与高电流的工作环境。一个功率MOSFET能耐受的电压是杂质掺杂浓度与n-type磊晶层(epitaxial layer)厚度的函数,而能通过的电流则和元件的通道宽度有关,通道越宽则能容纳越多电流。对于一个平面结构的MOSFET而言,能承受的电流以及崩溃电压的多寡都和其通道的长宽大小有关。对垂直结构的MOSFET来说,元件的面积和其能容纳的电流成大约成正比,磊晶层厚度则和其崩溃电压成正比。

     

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