600V高压mos管|厂家生产批发600V高压mos管
价格：电议
地区：广东省 惠州市
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mos管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
| Product Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
| N/P Voltage | Product Name | Assembly | BVDSS Min(V) | ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | Typ | Typ | Max | Typ | Max | Typ | Max |
| 600V MOS系列 | FNK2N60AL | TO-220 | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | |||||
| FNK2N60BL | TO-220F | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60CT | TO-251 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60DT | TO-252 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK4N60AL | TO-220 | 600 | 4.4 | 106 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60BL | TO-220F | 600 | 4.4 | 33 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60DL | TO-252 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60CL | TO-251 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N65AL | TO-220 | 600 | 4 | 106 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK4N65BL | TO-220F | 600 | 4 | 34 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK8N60AL | TO-220 | 600 | 7.5 | 50 | 30 | 3 | 1500 | ||||||
| FNK10N60AL | TO-220 | 600 | 9.5 | 156 | 30 | 3 | 870 | ||||||
Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。特点：击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A.由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz.
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