ICPPECVD HDPECVD 高密度等离子体增强化学气相沉积 超低温沉积
成熟的技术，庞大的装机量，是VLSI（标准样片公司）供应商。有单腔手动方片。性价比很高。特别适合高校和研究单位。
ICP-PECVD系统能够沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）等。可选用射频（RF）、空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。该公司采用先进技术和稳定可靠的设计为您提供多方位的服务。

 伴随高品质的二氧化硅和氮化硅沉积速率，PECVD硬件进一步演变，相应的减少清机时间成本。

?  ICP系统改善了刻蚀率和线宽操控功能。

? 增强了控制系统的基础设施，具有更好的分析、可靠性和可维护性。

配置的系统，既可以作为独立腔体模块，也可以多腔配置。

“正常运行时间超过90%，这个数据证明了我们设备的技术和自动化在业内处于地位，”，“此新产品做到真正的改进，具有良好的均匀性，并在应用范围内提供高产能程序。我们拥有6000多个工艺参数。