斯纳达拥有完整的植球工艺，特别是对TI系列PAD内凹封装芯片植球有独到的工艺，如4430FCB13(OMAP4430) X4460BCBS(OMAP4460)等MP4CPU芯片，完美地解决了小间距POP芯片植球难题，目前在国内外处在地位。

植球工艺宝典：
　　A、步，要分清IC是有铅还是无铅工艺，否则IC污染后达不到RoHS要求，造成的后果极为严重；
　　B、第二步，植球前要做好烘烤，IC的封装材料一般为塑料或陶瓷，在室温下容易吸潮，如果在植球前没有烘烤，极易导致IC分层损坏芯片，行业俗称“爆米花”现象；
　　C、植球后，焊接要根据锡球的化学成份，设置好相应的温度，否则容易造成植球不牢、不直、球不圆等不良现象；
　　3.1、有铅锡球（Sn63Pb37，锡63%铅37%）熔点183℃。
　　3.2、无铅锡球（Sn96.5AG3Cu0.5，锡96.5%银3%铜0.5%）熔点217℃。
　　D、植好球的IC一般要做短时间的烘烤，以去除IC表面吸附的湿汽，烘烤完成后要及时放入防潮箱、真空包装或卷带包装，以免回潮导致IC贴装时分层损坏IC；
　　
　　注意事项：用风枪直接加热时，注意调整风枪温度，首先要对钢网整面均匀加热。否则会造成钢网变形，影响植球质量。