二、产品特点
1、具有烧结速度快，一般情况下，从室温升到2000℃，需要120分钟的时间。
2、快速烧结过程具有降低晶粒长大、样品致密化、晶体有序排列、烧结体品位高的现代烧结特征。
3、具有节省烧结时间、节省能源、人力劳动强度小的特点。
4、一台设备同时具有热压烧结、无压烧结、真空烧结、气氛保护烧结功能。
5、具有降温速度快、单批次烧结时间段、减少制样烧结成本的特点。
6、采用SGM.HE系列复合陶瓷发热体在氧化气氛条件下温度可达2000℃，长期工作温度可达1950℃，在真空和惰性气体条件下温度2600℃，长期使用温度可达2200℃
7、采用SGM.TR系列超高温传感器测量炉内温度，测温高、控温性能好，长期使用温度1950℃（氧化气氛）。

三、主要技术参数
1、烧结温度：2000℃，2300℃可选择
2、压力范围：5T,10T,20T可选择
3、样品尺寸：￠3 0 mm，￠45 mm，￠60 mm可选择。
4、样品套筒尺寸：￠内20，￠内35，￠内50mm用户自备。
5、压头行程： 100 mm,。
6、真空度： 10Pa, 10-1Pa, 10-2Pa, 可选择。
7、取样方式：上部取样，取样过程简单方便，开炉取样时间大约需要10分钟。