产品介绍：IL装载互锁式（Load Lock）感应耦合等离子（ICP）处理系统、感应耦合等离子（ICP）蚀刻/沉积等离子系统

高性能深反应离子刻蚀（DRIE）及低温等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理系统

IL装载互锁式（Load Lock）感应耦合等离子（ICP）处理系统是一款配备装载互锁装置的深反应离子刻蚀（DRIE）及低温等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理系统。一款全新定义深反应离子刻蚀（DRIE）及低温低损伤  等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理新概念的等离子处理系统。

该深反应离子刻蚀（DRIE）及低温等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理系统基于模块化设计制造，采用一款通用的真空处理舱及机柜。深反应离子刻蚀（DRIE）及低温等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理系统采用感应耦合等离子（ICP）蚀刻或沉底部电极模块化设计理念，方便整体系统的组装及配置；系统集成配备装载互锁。

深反应离子刻蚀（DRIE）及低温等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理系统主要性能简介

. 等离子工艺处理的研发需要多功能且可靠的设备。为了满足等离子研究日新月异的要求，用户选购的系统设备满足范围的等离子工艺参数需要，工艺验证需要极其高的可重复性，必须方便改造用于新的等离子工艺需要。我们相信IL装载互锁式（Load Lock）感应耦合等离子（ICP）蚀刻/沉积等离子系统满足这些非常苛刻的要求。

IL装载互锁式（Load Lock）感应耦合等离子（ICP）蚀刻/沉积等离子系统是一款用于研究，工艺开发及其小批量生产的等离子系统工具，用于八英寸（200mm）基片的精密等离子刻蚀及沉积。该等离子系统可以容纳处理多块晶圆片。

在设计IL装载互锁式（Load Lock）感应耦合等离子（ICP）蚀刻/沉积等离子系统之初，主导指示就是创造一款融合高质量、可靠、重复性及其用于生产系统的工艺控制能力为一体的等离子系统；同时极大的降低主机成本、维护成本及占地面积小等要求。

IL装载互锁式（Load Lock）感应耦合等离子（ICP）处理系统具有独特的机体结构和电极设计，方便安装在层流模块中或是超净间。该系统的建造采用高质量认可的部件、模块化装配、多功能真空舱体及其电极设计、结构紧凑、自动化及业内认可工艺程序使得IL装载互锁式（Load Lock） 感应耦合等离子（ICP）处理系统成为工艺工程师干法设备。

装载互锁式（Load Lock）感应耦合等离子（ICP）蚀刻/沉积等离子系统装载互锁式模块

IL装载互锁式（Load Lock）感应耦合等离子（ICP）处理系统配备一个真空装载互锁模块，该装载互锁模块采用铝材建造。装载互锁式系统处于大气压，接近真空工件分级和进入模块。在无需对真空舱室泄压的情况下，这些模块化设计是传送工件进出真空系统的方便且实用的方式。装载互锁式系统极大提高了效率及产量，同事降低了循环时间，更重要的是极大降低了污染。装载互锁式系统在可控的环境条件下，工件进出真空处理舱室变得容易。装载互锁式系统可容纳4英寸至8英寸直接的晶圆片，且配备一个特制末端执行器。在装载互锁模块及处理舱室直接通过一个隔离阀分开传送的工件。