原子层沉积(Atomic Layer Deposition System,ALD)
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原子层沉积(Atomic Layer Deposition System,ALD)
◆ 先进的粉末样品表面原子层级包覆功能。
◆ 前驱体是饱和化学吸附,保证生成大面积均匀性的薄膜;
◆ 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物;
◆ 可承受腐蚀性前驱气体。
◆ 预留等离子体Plasma-ALD接入口,可根据客户需要进行灵活升级。
◆ 独特样品固定台设计,操作便捷,安全可靠。
◆ 将晶片和粉末样品的两个处理仓进行高度整合,合二为一;
◆ 大大提高设备利用率,降低使用成本。
◆ 同时,该系列可以十分方便升级到等离子体ALD系统。
原子层沉积ALD的应用包括: |
High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, |
Ta2O5, La2O3); |
导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN); |
金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir); |
催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5); |
纳米结构 (All ALD Material); |
生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN); |
ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni); |
压电层 (ZnO, AlN, ZnS); |
透明电学导体 (ZnO:Al, ITO); |
紫外阻挡层 (ZnO, TiO2); |
OLED钝化层 (Al2O3); |
光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5); |
防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5); |
电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce); |
工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2); |
光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO); |
传感器 (SnO2, Ta2O5); |
磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2); |
目前可以沉积的材料包括: |
氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,... |
氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... |
复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... |
金 属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... |
碳化物: TiC, NbC, TaC, ... |
氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ... |
硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ... |