霍尔效应测试仪
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产品属性
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Item | Description | ||
1 | 应用范围: | 研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数 | |
2 | 规 格: | ||
2-1 | Sample size (Small board) - 10mm x10mm~15mm x15mm 样品尺寸:10mm x10mm~15mm x15mm(可定制) | ||
2-2 | Measurement Temperature: 300K (room temperature). 测试温度: 室温,可选择77K(液氮温度) | ||
2-3 | Measurement Material: Semiconductors material such as Si, Ge,SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN,ZnO, ITO 。 测试材质:半导体类材质、如: Si, Ge,SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN,ZnO, IT等所有半导体薄膜,用于研究,教学的产品研究开发。 | ||
2-4 | Magnet Flux Density: 0.68 Tesla nominal ±1% of marked value 磁场强度: 0.4~1T Tesla ±1%(根据应用不同有所差异) | ||
2-5 | Magbnet Stability: ±2% over 1 years 稳定性: ±2% (超过一年) | ||
2-6 | Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center 均匀度:± 1%(20mm直径圆范围内) | ||
2-7 | Pole Gap: 20 mm 磁极间隙:20毫米 | ||
2-8 | Output current:: 2nA~100mA 输出电流:2nA~100mA | ||
2-9 | Input voltage range: 1μV to 300V 输入电压范围:1μV ~300V | ||
2-10 | Hall voltage range: 10uV to 2000mV 霍尔电压范围: 10uV to 2000mV | ||
2-11 | Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107 电阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 107 | ||
2-12 | Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107 迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107 | ||
2-13 | Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021 载流子浓度(1/cm3): 107 ~ 1021 |