KMT32B磁场角度传感器

 KMT32B磁阻传感器是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如，它可以在磁场强度大于25kA/m应用中独立的传感出磁场方向。传感器包含两个平行的惠斯通电桥，每个电桥可以测量45角度。KMT32B磁阻传感器的工作原理是一个平行于芯片表面(X-Y平面)的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号，一个是cos(2a)，另一个是sin(2a)，a是传感器和磁场方向的夹角。

 KMT32B磁阻传感器具有无接触角度定位，SMD、TDFN、SO8封装，设计线性优化，低成本，高，宽工作温度范围（-40到+150，+160℃），低功耗，符合RoHS,适合恶劣环境，达到30000RPM高旋转速度等特点。典型应用于角度测量，马达控制，机器人，相机定位，汽车，可取代电位器等行业领域。

 技术指标

KMT32B磁阻传感器　

类 型： 角度传感器

量 程： －

精 确 度： 0.05deg

输 出： 频率输出

供电电源： 5V

工作温度： -40℃~+150℃

电气连接： PC板安装

特 点： 霍尔效应

典型应用： 编码器，电动机，方向舵，角度测量，马达控制，机器人，相机定位，汽车，可取代电位器

KMT32B磁场传感器适合在低磁场强度下的高角度测量应用。(通常H0=25kA/m,可以在降低应用中到H0=8kA/m;注意地球磁场强度)