场效应系列产品 SM12.TC
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产品属性
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种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-TPBM/三相桥 |
封装外形 | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |