技术要求 典型数值在27°C

氧化层厚度10000A

辐射Vth灵敏度 辐射场= 0.05 MV/cm : 灵敏度= 2.4mV/rad
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度= 0.8mV/rad
(灵敏度在 1.5 krad(H₂O)，在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA)

温度补偿

TVTC 15mV/°C
(该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值.) 线性模式中Z.T.C. 数值~ -5µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1) 饱和模式中Z.T.C.数值~ -30µA
(使用以下读写器电路配置)

预辐射剂量计的特点

阈值电压（外推） -17.2 +/- 0.4V Vth漂移时间（秒） 4mV
(该数据出自读写器配置强迫40µA，两个中有一个因子会增大) 氧化层击穿电压>400V 沟道漏电流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 20 pA 亚阈值斜率-500 mV/decade 沟道电阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 1.95 Mohms 福坦尼斯亚洲有限公司还提供深水高纯锗谱仪、蓄水池全自动水样核素活度监测系统、同轴高纯锗探测器GCD系列（液氮致冷）、平面型高纯锗探测器GPD系列（液氮致冷）、便携式高纯锗γ射线谱仪、手持式高纯锗探测器、自带铅室高纯锗谱仪、液体和气体流量核素分析的屏蔽高纯锗谱仪、移动式高纯锗谱仪（现场使用）、X γ射线高纯锗谱仪（电致冷）、流动式高纯锗谱仪、CdZn TeCdTe探测器和相关电子附件等相关产品。