ETMapSys是针对高端纳米薄膜研发和质量控制领域中大面积样品检测专门设计的在线薄膜测量系统。    ETMapSys用于对1.4m * 1.1m及以上的大面积样品进行在线检测。可测量光滑平面基底上的纳米薄膜，包括单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k；并可同时测量块状材料的折射率n和消光系数k。可测量样品上指定区域的样品参数以及样品表面的均一性分布。    ETMapSys融合量拓科技在高激光椭偏仪的先进技术和产品设计方面的经验，性能卓越。

特点:

• 微米量级的全面积扫描先进的系统设计，能够使探头到达样品上每个点，扫描达到微米量级。
• 原子层量级的膜厚分析采用非接触、无破坏性的椭偏测量技术，对纳米薄膜达到极高的测量准确度和灵敏度，膜厚测量灵敏度可达到0.05nm。
• 简单方便安全的仪器操作 用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程，数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行测量设置。
•  大面积样品上全表面测量  可对1.4m*1.1m及以上的大面积薄膜样品各点的性质进行分析和比较。                                                                                                  

应用:

 ETMapSys适合于高要求的大面积纳米薄膜研发和质量控制。

 ETMapSys可用于测量大面积的纳米薄膜样品上单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k；同时用于块状材料

 ETMapSys可应用于：

• 大面积液晶显示屏上的镀层测量
• 大面积半导体芯片的薄膜测量
• 大面积低辐射玻璃（LOW-E）的镀膜（ZnO,SnO2,TiO2,Ag）测量
• 大面积金属上纳米薄膜测量
• 大面积的光学薄膜（TiO2，SiO2等）测量

技术指标 :

项目	技术指标
系统型号	ETMapSys-PV
结构类型	在线式
激光波长	632.8nm (He-Ne laser)
膜厚测量重复性（1）	0.05nm (对于Si基底上100nm的SiO2膜层)
折射率n测量重复性（1）	5x10-4  (对于Si基底上100nm的SiO2膜层)
结构	PSCA
激光光束直径	~1 mm
入射角度	65°-75°可选
样品放置	放置方式：水平运动：X轴单方向运动运动范围：>1.4m三维平移调节二维俯仰调节可对样品进行扫描测量
样品台尺寸	1.4m*1.1m，并可定制。
测量速度	典型0.6s-4s /点（取决于样品种类及测量设置）
的膜层厚度测量范围	粗糙表面样品：与绒面物理结构及材料性质相关光滑平面样品：透明薄膜可达4000nm，吸收薄膜与材料性质相关
选配件	样品监视系统自动样品上片系统

    注：（1）测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。

性能保证:

• 高稳定性的He-Ne激光光源、高的采样方法以及低噪声探测技术，保证了系统的高稳定性和高准确度
• 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合先进的采样技术，保证了快速、稳定测量
• 一体化集成式的结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高
• 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用