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MEM2311 MEM2311SG MEM2318FG ME2306 ME2306A33M3G 电源管理IC
价格：电议
地区：广东 深圳市
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【产品说明】  MEM2311SG系列 双P沟道增强型功率场效应（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2311SG适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
特点:
●  -30V/-6A
●  RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A
●  RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
●  超大密度单元、极小的RDS(ON)）
●  采用SOP8封装
引脚排列: