GS6102SP-R  12V单路同步降压控制器

GS6106SP-R 5V/19V单同步降压控制器

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GS6106是一个高频MOSFET驱动器，专门设计用于驱动上部和下部功率N沟道MOSFET的同步整流降压转换器拓扑。这些驱动程序的多相降压PWM控制器和N-沟道MOSFET结合形成先进微处理器的完整的电压稳压器解决方案
集成了先进的自适应零击穿保护，同时防止高端和低端MOSFET同时导通，并尽量减少死区时间。 GS6106添加过电压保护功能的正常运行，才能VCC超过它的导通阈值。过温保护功能，防止故障导致功耗过大警告的MCU时，它的结温超过+150°C（典型值）。 GS6106还配备了一个三态PWM输入，多相位PWM控制器一起工作防止负瞬态上的输出电压，当输出被关闭。该特性省去了肖特基二极管，并在一些系统中使用用于保护负载从逆转的输出电压事件。该解决方案是基于英特尔™DrMOS规范修订版3.0。

特点

• 内置功率MOSFET的27V输入，适用于低输出电压应用
• 具有三态PWM信号兼容
• 输出持续电流为30A（MAX：35A）
• 开关频率高达1MHz
• 快速上升/下降时间和较低的传播延迟
• 低侧驱动器控制
• 内置的5 V稳压器
• 内置欠压锁定
• 内置自举开关
• 内部过温保护
• TQFN16-3X3封装
• 绿色产品（符合RoHS，无铅，无卤素符合）

应用

• 高功率密度DC / DC转换器
• 高频率和高效率DC / DC转换器