富士通开始样品供货的GaN功率器件击穿电压150V

有助于更小，更高效的电源产品，用于电信，工业设备，汽车，及其他应用

日本横滨，2013年7月11日-  富士通半导体有限公司今天宣布推出MB51T008A，，基于硅衬底，氮化镓（GaN）的电源装置，具有击穿电压为150 V新产品的样品会2013年7月开始提供。新的移动设备，从而使常断操作，能够实现大约一半的基于硅的用一个等效的击穿电压的功率器件的品质因数（FOM）。随着新产品的阵容增加了，富士通半导体将能够提供更小，更高效的电源供应器，适用范围广的领域，家电和信息通信技术设备，汽车应用的GaN器件。

MB51T008A有具有许多优点，包括：1）的通态电阻为13毫欧，总的栅极电荷为16 nC的，用一个等效的击穿电压，使大约一半的硅为基础的功率器件的FOM; 2）小的寄生电感和高频率的操作通过使用WLCSP封装，以及3）一个专有的栅极的设计，使正常的开关操作。新器件非常适合用于高侧开关和低侧开关电源采用的DC-DC转换器，数据通信设备，工业产品，以及汽车。此外，因为它支持更高的开关频率在电源电路中，电源供应器可实现整体的尺寸和效率的改善。富士通半导体计划在2013年7月开始样品供货，计划在2014年开始批量生产。

除了MB51T008A，设有一个击穿电压为150 V，富士通半导体还开发模型与击穿电压为600 V和30 V，从而帮助实现增强的电源效率在广泛的产品领域。这些GaN功率器件的HEMT（高电子迁移率晶体管）技术，该技术自20世纪80年代以来，富士通研究所牵头制定的基础上。丰富的IP产品组合的技术的基础上，富士通半导体将迅速将其GaN功率器件市场。该公司还计划与客户建立合作伙伴关系跨越了广泛的行业，以进一步拓展其业务。

富士通半导体将的MB51T008A和其他氮化镓产品在“TECHNO-FRONTIER 2013”??上展出，将于7月17-19日在东京Big Sight东京，日本。该公司还计划突出其GaN功率器件的性能改进，和一个600 V的击穿电压，以及原型和测试数据的2.5千瓦电源采用的GaN功率器件，高频PFC高频DC -DC转换器。

主要技术指标

MB51T008A