法国中束流离子注入机

l         控制离子束流

l         控制加速电压

l         占地小

l         操作简单

l         运行成本低

l         自维护

l         特别适合于研发应用

l         适用于4”~6”晶片，小可用于1*1cm2样品（室温）

l         4”热注入模式，温度可达600度

l         2个带有蒸发器的Freeman离子源，可使温度达750度

l         1个Bernas离子源

l         非凡的铝注入能力

l         一个主气箱，配有4个活性气体管路；一个副气箱，配有4个中性气体管路

l         高价样品注入能力

l         注入角0~15度

l         IBS特有的矢量扫描系统

l         手动装载/卸载用于标准注入和热注入，自动25片cassette 装载用于标准腔室

l         远程操作控制接触屏（5米链接线缆）

l         辐射低于0.6usv/hour

l         CE

工艺性能

l         2~210keV

l         束流：4”晶片100keV时，大于900uA (As, P), 大于450uA (B)

l         剂量范围：1*10¹¹*10¹⁸~at/cm2

 内非均匀性：1s<=1%(带有1000埃氧化层的4寸硅，注B，100kev，1*10¹⁴at/cm2

 l         片间均匀性：1s ≤ 1 %

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