一、特点
 ● 性能价格比高                           ● 体积小、重量轻，直接过程安装
● 多种形式，适合各种过程条件             ● 抗过载和抗冲击力强
● 现场指针、液晶显示可选                 ● 介质温度范围-40℃～300℃
● 温度漂移小（+0.015%/10℃陶瓷传感器）   ● 高、高稳定性


二、原理
1、扩散硅传感器
采用扩散硅传感器测量介质时，介质压力作用在传感器的金属（316L、哈氏C钽、钛）膜片上通过传感器中的填充硅油作用在桥阻上，使桥阻的阻值发生变化，经专用电路转换成4～20mA或1-5V信号输出。
2、陶瓷电容传感器
采用陶瓷电容传感器测量介质时，介质压力直接作用于陶瓷膜片上（因传感器中无中介液），使膜片产生偏移。正常压力下膜片偏移0.025mm，超压状态也只是膜片偏移0.1mm，膜片位移产生的电容量，经电子部件检测，放大转换为标准信号输出。

三、技术参数
● 测量范围：-0.5KPa～100MPa                        ● 工作电压：12.5－36VDC
● 测量：线性度：+0.1%，+0.2%，+0.5%，          ● 电源影响：≤0.05%FS/V
             迟  滞：优于0.01%满量程                ● 电气接口：M20×1.5内螺纹
● 信号输出：二线制4～20mADC或1－5VDC        
● 负载电阻：RL≤50（US-12）Ω US：电源电压
● 允许温度：介质温度：-40℃～300℃，环境温度：-40℃～80℃，存贮温度：-40℃～85℃
● 过载压力：扩散硅额定量程的2倍，陶瓷电容为额定量程的100倍
● 结构材料：外壳：不锈钢或低铜铸铝                 ● 防护类别：IP65
             膜片：316L，哈氏C，钽，钛，96%A12O3       ● 稳定性：0.2%FS/℃
             密封件：丁腈橡胶，聚四氟乙烯或氯橡胶   ● 相对湿度：≤95%RH
             压力接口：1Cr18Ni9Ti不锈钢，钛，哈氏C ● 温度系数：0.02%FS/℃
● 过程连接：外螺纹M20×1.5，G1/2",1/2"NPT,法兰（DIN2501，DN25，PN4.0）
             内螺纹M20×1.5，G1/2",1/2"NPT,齐平膜片兰
● 产品型式：普通型、小巧型、高温型、防堵型