TPDRO1100的关键特性

针对高灵敏探测的气体控制
在TPDRO中，气流是由气流质量控制器在单组分气体管中首先经过TCD参考信道然后通过反应物后再次通过TCD分析信道。这样的设置确保了气流对于 TCD是 同一的，这样终也保证了基线和检测限稳定性。从而确保结果可靠。金属含量低的催化剂也能被轻松检测，小化反应中的样品装载量，避免了重复吸附 和沟道效应。

针对脉冲吸附化学的气体注入
对于校正和脉冲吸附化学，探测气体可以通过手动的注射器或者自动注入通过高的环路系统。环路的选择小至0.15CC而且没有“快门”造成的死体积在 基 线上产生噪音峰。脉冲气体也可以由低百分含量的反应气体混入惰性气体中，这样就可以用非常小的气体注入到非常低的金属百分含量的催化剂中。

两个独立预处理炉提高效率
TPDRO有着两个完全独立的预处理炉。每一个都可以单独用来样品活化或者实验升温至1100℃。两个预处理炉是防磁的，可以避免防止当载体是有极性时对基 线的干扰。同时也可与压缩空气设备连接的用来加速冷却处理炉。

在催化剂研究时可以在升温或者降温阶段进行温度控制 炉温可以线性的大范围提升。尤其在TPD实验时，升温速率可达40℃每分钟至750℃ 或者每分钟20℃升温至1100℃，从而加强了仪器性能。另外，特殊设计的 系统使得仪器可以在降温过程中进行温度控制。这使得对样品降温过程中进行的反应进行测量变得可行。
可从-110℃到1100℃程序升温。

实时连续的样品监测
热电偶直接嵌入反应室内，可以在样品上或者催化剂床内。该探针非常细，对温度波动有着非常短的反应时间。而且，探头自身由石英保护，避免了热电偶 和反应气体的接触。

附加分析的可能性
在气流分析时进行单点的BET计算使得可以在反应结束之前进行催化剂总表面积的评估。而且，如果在样品分析时形态发生改变的话，也可以迅速显示出来。

外部温度调节
当进行脉冲吸附化学实验时，反应室可以从室温或者零摄氏度通过特殊的水浴循环，温度可以的通过外部液体循环系统进行调节。

气体发生器选项包
许多种的有机气体都可以通过气体发生器在连续的温度下，注入反应室。对催化剂进行饱和。然后再通过TPD过程进行解吸附。

针对其他综合表面反应研究有其他可选的探头。
TCD探头后可以再连接质谱仪，该特点使得能对由催化剂产生的气体种类能进行定性和定量的分析。

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