FEI DualBeam 系列新仪器

FEI 的新 DualBeam 仪器 Versa 3D 是一个高度可选配的平台，客户可根据自己的需求来选系统功能的配置。 高真空版是常规导电或镀膜样品的理想之选。 与之不同,高低真空版可以灵活工作于包括非镀膜、绝缘材料等众多样品。选配的环境扫描电镜ESEM 模式可做非镀膜、绝缘体或自然含水样品的电子束成像，并支持原位分析和动态试验。

产品	电子束	离子束
Versa 3D（高真空）	分辨率： -- 0.8 nm @ 30 kV STEM -- 1.0 nm @ 30 kV（配等离子清洗器） -- 1.2 nm @ 30 kV -- 1.3 nm @ 15 kV（配等离子清洗器） -- 2.0 nm @ 1 kV（配射束减速功能） -- 2.9 nm @ 1 kV 着陆电压： 50 V - 30 kV 探针电流： < = 200 nA	分辨率： 7.0nm @ 30 kV（同心） 5.0nm @ 30 kV 着陆电压： 500 V - 30 kV 探针电流： 1.5 pA - 65 nA
Versa 3D（高真空和低真空）	分辨率（高真空）： -- 0.8 nm @ 30 kV STEM -- 1.0 nm @ 30 kV SE（配等离子清洗器） -- 1.2 nm/30 kV SE -- 1.3 nm @ 15 kV SE（配等离子清洗器） -- 2.0 nm @ 1 kV SE（配射束减速功能） -- 2.9 nm @ 1 kV SE 着陆电压（高真空）： 50 V - 30 kV 探针电流： < = 200 nA 分辨率（低真空）：	分辨率（高真空）： 7.0nm @ 30 kV（同心） 5.0nm @ 30 kV 着陆电压： 500 V - 30 kV 探针电流： 1.5 pA - 65 nA
主要优点 • 可检查任何样品的表面和表面下方区域的 DualBeam 功能（纳米和微米尺度样品修改） • 结合了高束流 FIB 切割/沉积和低电压 FIB 清洗，迅速切割/沉积材料，生产出质量、低损伤样品表面 • 高质量 TEM 和原子探针样品制备，配以低电压清洗，实现 TEM/原子探针的原子级研究 • 全面补充之软件，可用于执行如三维批量切片等任务，并可使用 CAD 或图像文件进行表征、样品制备和原型制造 • 灵活的电子束真空配置，用于检查仅高真空配置系统内的导体样品，或者检查高真空和低真空配置系统内的导体和绝缘样品 • Auto Slice and View G3 可利用一套探测器*对广泛的材料类型进行三维表征，实现了从各个角度获取信息 • ESEM* 功能可进行涉及气体*和热量控制*的动态实验