产品详细说明

技术参数
制造厂商：SAMSUNG三星   产品类别： NAND Flash
工作电压：2.7V -3.6V    工作温度： -40°C - 85°C
存储介质类别：    SLC 管芯堆叠
I/O接口位宽: 8-bit--    存储密度：8Gbits=1GB
损坏区块：包含坏块      芯片版本：第三代芯片

芯片特征： 普通（1片选+1状态） 
封装类型：TSOP48        封装材料：无铅封装

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