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图文详情
产品属性
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描述 | MOSFET DUAL N-CH 20V 9.4A 8-SOIC |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 1 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.4A |
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 9.4A,10V |
Id 时的 Vgs(th)() | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17.9nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1810pF @ 10V |
功率 - | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC |
包装 | Digi-Reel? |
其它名称 | 785-1056-6 |
.
Alpha&OmegaSemiconductorInc
原厂标准封装
0732+
5000