FDN336P原装Fairchild Semiconductor分离式半导体产品现货供应，环保现货FDN336P价格优惠
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图文详情
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产品属性
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| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 200 毫欧 @ 1.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（） | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 330pF @ 10V |
| 功率 - | 460mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | 3-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDN336PTR |
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厂家
FairchildSemiconductor
封装
04+
批号
111000