供应FDV303N分离式半导体产品,Fairchild Semiconductor品牌分离式半导体产品FDV303N 原装现货
价格:电议
地区:广东省 深圳市
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描述MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列-
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C680mA
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)()1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
功率 - 350mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23
包装带卷 (TR)
其它名称FDV303NTR

 

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厂家

FairchildSemiconductor

封装

2010

批号

SOT-23

数量

50000