本仪器可对N沟道及P沟道大功率MOS场效应晶体管的主要技术参数进行测量。在测量注入可高达10A电流时的gm及RDS(on) 等晶体管图示仪无法检测的参数时，采用了国际电工委员会（IEC）所规定的脉冲法进行测量，有效地避免了被测器件的发热所引起的参数漂移和被测器件的破坏。技术指标：（1）栅源截止电压VGS(off)：0～±12V（2）栅源阈值电压VGS(th) ：0～±12V（3）漏源短路时的栅源击穿电压V(BR)GSS：0～±1000V（4）漏源击穿电压V(BR)DS：0～±1000V（5）漏源短路时的栅极截止电流IGSS：1μA～100mA（6）零栅压时的漏极电流IDSS：1μA～100mA（7）静态漏源通态电阻RDS (on)）：0～1KΩ（VDS/ID）（8）低频跨导gm：1mS～100S (VDS=12V,  ID=0～10A脉冲测试) 以上是大功率管测试仪的详细信息，如果您对大功率管测试仪的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取大功率管测试仪的新信息。