本仪器可对各种类型N沟道及P沟道场效应晶体管的瞬态热阻参数进行快速测量。当被测管外配规定的散热器及测量其壳温时，亦可用本仪器测量其稳态热阻参数。技术指标：（1）测试功率：0～500W（100V、5A）（2）VDS电压：0～100V连续可调（3）ID电流；0～5A连续可调（4）M数字电压表：0～—4.00mV/℃（5）VDS数字表：0～999 mV（6）功率脉冲脉宽τ：1mS～1000S（分七档）     脉宽扩展：τ×1、τ×2、τ×5以上是BJ2989MOS场效应热阻测试仪,符合国标的详细信息，如果您对BJ2989MOS场效应热阻测试仪,符合国标的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取BJ2989MOS场效应热阻测试仪,符合国标的新信息。