母合金
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母合金
半导体拉晶的重要掺杂元素

产品特点
进口12N电子极原生多晶硅,配掺高纯度硼粉(7N)级。目前广泛应用在拉单晶上的为硅硼负三合金。

母合金掺杂计算方法
电阻率P的单晶,它的头部对应的的杂质浓度为C头,多晶硅原料的重量为W,母合金的杂质浓度为C母,应掺母合金重量为M
应掺母合金重量为M =W*C头/(K*C母—C头),其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数。

参数
■ 硅单晶P型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.007-0.009Ω/cm2
■ 杂质含量指标
硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
1.13*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18

■ 硅单晶P型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.003-0.004Ω/cm2
■ 杂质含量指标
硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
3.04E+19 <5E+16 <1E+18

■ 硅单晶N型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.002-0.005Ω/cm2
■ 杂质含量指标
磷含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
2.24*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18