供应硅晶体内部检测仪 (美国)
价格:电议
地区:广东省
电 话:86 0755 82838457
手 机:13714097770
传 真:86 0755 25331367
品牌McBain型号DDR 300 Subsurface Defect
测量范围900-1700nm测量300mm
外形尺寸300(mm) 用途检测硅晶体内部缺陷近红外分析

近红外的DDR200(200毫米)和DDR300近红外(300毫米), 提供高速晶圆缺陷检测和精密测量等部位。这些经济高效的系统为生产和开发利用过程中的独特优势,当两个内部缺陷的检测和尺寸测量是必需的。提供一个的近红外(900 - 1700nm)解决方案,               这些复员系统功能的自动化和半自动化光学和数字视频工具,这是优化高,生产能力和一套功能强大的易用性。自动化和通用平台架构采用了先进的近红外克勒外延照明以及可选的透射照明封装。所有系统配置的系统上,的多轴平台                                                                                  

应用
•对于进程,后处理和故障分析
•保税晶圆对准
•芯片对准(倒装芯片或杂交)
•内部缺陷的可视化,检测,鉴定
•MEMS器件检验和计量
•三维堆叠工艺开发和控制       

主要特点
•专为自动/半自动操作
•广泛的缺陷检测功能和能力
•集成的三维测量功能能够穿透较厚的材料,更多的高掺杂的材料和粗糙举办的高表面比其它系统
•亚微米精密光学测量•,到20nm 线性编码器分辨率
•分辨率900 - 1700nm 的 InGaAs 多晶片类数码相机
•高速直线伺服电机分期
•50-500缺陷/测量/秒,每视野,典型
•非常容易使用,纲领,并设立/模具/零件处理系统提供
•特殊应用定制软件
•符合SEMI标准S2/S8

 

请与我联系陈先生