技术指标：
项目 描述
SE分辨率 3.0nm (30kV)，高真空模式
10nm (3kV), 高真空模式
BSE分辨率 4.0nm (30kV)，低真空模式
放大倍率 x5 ~ x300,000
加速电压 0.3 ~ 30 kV
低真空范围 6 ~ 270 Pa
样品尺寸 直径200mm
样品台 I型 II型
X 0 ~ 80mm 0 ~ 100mm
Y 0 ~ 40mm 0 ~ 50mm
Z 5 ~ 35mm 5 ~ 65mm
R 360º 360º
T -20 ~ +90º -20 ~ +90º
样品高度 35mm (WD=10mm) 80mm (WD=10mm)
马达驱动 手动 五轴马达驱动
电子光学
电子枪 预对中钨灯丝
物镜光栏 可移动式4孔物镜光栏
枪偏压 四阶梯度偏压
检测器 二次电子检测器
高灵敏度半导体背散射电子检测器
分析位置 WD=10mm, TOA=35o
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语言 英语
操作系统 Windows XP
控制 鼠标、键盘，手动旋钮
自动调校 自动束流设定