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工业级碳化硅MOSFET功率模块Pcore?2 E1B（半桥）和Pcore?4 E1B（H桥）
发布时间：2024/10/26 8:40:00工业级碳化硅MOSFET功率模块Pcore?2 E1B（半桥）和Pcore?4 E1B（H桥）
Pcore?2 E1B/Pcore?4 E1B
1200/650V E1B封装工业级碳化硅功率模块 为更好满足工业客户对于高功率密度的需求，基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore?2 E1B和Pcore?4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB基板等技术，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色，可应用于大功率充电桩、有源电力滤波器（APF）、储能变流器（PCS）、高端电焊机、数据中心UPS、高频DCDC变换器等领域。 产品拓扑 产品特点 高晶圆可靠性 新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)退化。 优异抗噪特性 宽栅-源电压范围（VGSS: -10V~+25V），及更高阈值电压（VGS(th).typ = 4.0V），便于栅极驱动设计。 高热性能及高封装可靠性 高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入，改善温度循环的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。 Press-Fit连接技术 集成NTC温度传感器 应用优势 低导通电阻 低开关损耗 提高系统效率，降低系统散热需求 可提高开关频率，以降低设备体积，提高功率密度 高阈值电压，降低误导通风险 应用领域 大功率充电桩 有源电力滤波器（APF） 储能变流器（PCS） 高端电焊机 数据中心UPS 高频DCDC变换器
