美国北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种将带正电荷(p型)的还原氧化石墨烯(rGO)转化为带负电荷(n型)还原氧化石墨烯的技术，该技术可用于开发基于还原氧化石墨烯的晶体管，有望在电子设备中得到应用。



石墨烯的导电性非常好但不是半导体，氧化石墨烯像半导体具有带隙却导电性差，而还原氧化石墨烯只带正电荷(p型)，可解决这一问题。北卡罗来纳州立大学材料科学与工程系的研究团队发明了利用p型rGO制备n型rGO的方法。首先，他们将rGO集成到蓝宝石和硅晶片上，然后使用大功率激光脉冲来周期地冲击晶片上的化学基团。这种冲击可有效将电子转移，使p型rGO转化为n型rGO。整个过程在室温和常压下进行，完成时间小于1/5微秒。这种激光辐射退火方法提供了高度的空间和深度控制，使开发基于p-n结的二维石墨烯电子器件成为可能。

这一成果发表于美国物理联合会(AIP)《应用物理》期刊网站上。