中科院研究人员成功研制世界第二高磁场超导磁体

日前从中科院电工所获悉，该所超导磁体及强磁场应用研究部王秋良团队采用自主研发的高温内插磁体技术，研制出可产生27.2T中心磁场的超导磁体。这是由全超导磁体产生的世界第二高磁场。高磁场由日本理化技术研究所于2016年1月创造，测试结果为27.6T。

据介绍，REBCO超导体因抗拉伸强度高和高磁场下优异的载流特性，适宜于绕制极高场超导磁体。然而，REBCO带材的结构是层状的，在极高场条件下由于应力集中可能会出现分层现象。这会导致磁体损伤，无法稳定运行。

针对该问题，王秋良团队相继采用特制的绑扎装置对磁体外层导线予以保护，并且调整内插磁体线圈的分层结构，以降低REBCO导线上的应力水平。同时，利用分级设计的方式提高内插磁体的安全裕度，使内插磁体的运行裕度得以大幅提高。

该团队在今年5月11日获得25.7T全超导磁体。此后，其研制的高磁场超导磁体经液氦条件测试，内插线圈运行电流达到169.2安培时，在15T的超导背场中产生了12.2T的中心磁场，实现了27.2T全超导磁体的稳定运行。这也是目前超导磁体稳定运行的磁场。

近年来，我国科技水平不断提升，取得众多科技成果，弥补了多领域空白。此次，研究人员采用自主研发的高温内插磁体技术，成功研制出可产生27.2T中心磁场的超导磁体，使得全超导磁体实现稳定运行，是我国在该领域取得的又一重大突破性进展。