一、MB芯片

  定义：MetalBONding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的产品。

  特点：

  1：采用高散热系数的材料---Si作为衬底、散热容易。

  2：通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

  3:导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。

  4:底部金属反射层、有利于光度的提升及散热

  5:尺寸可加大、应用于Highpower领域、eg:42milMB

  二、GB芯片

  定义：GlueBonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的产品

  特点：

  1：透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底、其出光功率是传统AS芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

  2：芯片四面发光、具有出色的Pattern

  3：亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准(8.6mil)

  4：双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片

  三、TS芯片

  定义：transparentstructure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP的产品。

  特点：

  1：芯片工艺制作复杂、远高于ASLED

  2：信赖性卓越

  3：透明的GaP衬底、不吸收光、亮度高

  4：应用广泛

  四、AS芯片

  定义：(吸收衬底)芯片;

  经过近四十年的发展努力、台湾发光二级管光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大。

  大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等

  特点：

  1：四元芯片、采用MOVPE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮

  2：信赖性优良

  3：应用广泛