光控晶闸管

    原则上光控晶闸管的基本原理和制造工艺与电触发晶闸管相似。但触发结构和触发方式有很大不同，即光控晶闸管采用光触发，在光敏区的P型区内产生的光载流于将四层PNPN开关器件打开，电触发晶闸管则由门板电流触发PNPN四层器件。但就是触发方式的差异，使二种器件实际的开关性能和制造工艺、生产成品率受到严重影响。光控晶闸与电触发晶闸管不同之处是在光控晶闸管中，必须使用非常微弱的光信号直接驱动，其门权触发信号的光能只有电触发能量的几十分之一。

    通常晶闸管有三个电极：控制极G、阳极A和阴极C。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射，没有必要再引出控制极，所以只有两个电极(阳极A和阴极C)。但它的结构与普通可控硅一样，是由四层PNPN器件构成。

    七十年代未和八十年代初,主要在日本和美国许公司以直流输电和不同频率、不同电压等级的联网应用为目标而发光触发晶闸管，企图以减少晶闸管阀的各种元器件和零部件来提高系统的可靠性。
    l979年12月东京电力公司在日本北海道本州间支流联网设备上已应用光控晶闸管。
    1985年日立公司已开发出4000v／3000A光控晶闸管，计划用于直流输电。
    到八十年代后期 西欧的西门子、ABB公司．俄罗斯、还有中国也相继开发、生产光控晶闸管．西安电力电子技术研究所由国家立项并资助，开发光控晶闸管并于88年通过国家组织的鉴定．但是由于光控晶闸管应用的局限性和制造技术的难度，更重要的是LTT器件参数与HYDC阀应用特性的固有矛盾，使光控晶闸管一直未能有突破性的发展，直至今日世界上仅有少数公司在生产。